MEMORIA DDR3 4GB kingston 1600 low voltage SODIMM

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              CARACTERISTICAS
              JEDEC estándar 1.35V (1.28V ~ 1.45V) y Fuente de alimentación de 1.5V (1.425V ~ 1.575V)
              VDDQ = 1.35V (1.28V ~ 1.45V) y 1.5V (1.425V ~ 1.575V)
              800MHz fCK para 1600Mb / seg / pin
              8 bancos internos independientes
              Latencia CAS programable: 11, 10, 9, 8, 7, 6, 5
              Latencia de aditivo programable: 0, CL - 2 o CL - 1 reloj
              búsqueda previa de 8 bits
              Longitud de ráfaga: 8 (intercalar sin límite, secuencial al inicio dirección "000" solamente), 4 con tCCD = 4 que no permite sin interrupciones leer o escribir [sobre la marcha usando A12 o MRS]
              Luz estroboscópica de datos diferenciales bidireccionales
              Calibración interna (auto): auto calibración interna a través del pin ZQ (RZQ: 240 ohmios ± 1%)
              En la terminación del troquel utilizando el pin ODT
              Periodo promedio de actualización 7.8us a menos de TCASE 85 ° C, 3.9us a 85 ° C <TCASE ≤ 95 ° C
              Restablecimiento asincrónico
              PCB: Altura 1.18 ”(30 mm), componente de doble cara
              Cumple con RoHS sin plomo


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